창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5228BLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5228BLT1GOS MMBZ5228BLT1GOS-ND MMBZ5228BLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5228BLT1G | |
관련 링크 | MMBZ522, MMBZ5228BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2N7002A-7 | MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23 | 2N7002A-7.pdf | |
![]() | SQP500JB-9R1 | RES 9.1 OHM 5W 5% AXIAL | SQP500JB-9R1.pdf | |
![]() | CW010165R0JE12 | RES 165 OHM 13W 5% AXIAL | CW010165R0JE12.pdf | |
![]() | W79E824ADG | W79E824ADG NUVOTON DIP | W79E824ADG.pdf | |
![]() | G05200 64M | G05200 64M NVIDIA BGA | G05200 64M.pdf | |
![]() | 450V47UF 22*20 | 450V47UF 22*20 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V47UF 22*20.pdf | |
![]() | U429BAFPG3 | U429BAFPG3 tfk SMD or Through Hole | U429BAFPG3.pdf | |
![]() | V10150S-HM3 | V10150S-HM3 VISHAY TO-220 | V10150S-HM3.pdf | |
![]() | K3650-01S | K3650-01S FUJI T-pack | K3650-01S.pdf | |
![]() | N4113 | N4113 ORIGINAL TO-92S | N4113.pdf | |
![]() | UPD4516161G5-A107JF | UPD4516161G5-A107JF NEC TSSOP | UPD4516161G5-A107JF.pdf | |
![]() | MM74C04MX_NL | MM74C04MX_NL Fairchild SMD or Through Hole | MM74C04MX_NL.pdf |