창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5228B-G3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5228B-G3-08 | |
| 관련 링크 | MMBZ5228B, MMBZ5228B-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ECH-U1124JC9 | 0.12µF Film Capacitor 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 2820 (7150 Metric) 0.280" L x 0.197" W (7.10mm x 5.00mm) | ECH-U1124JC9.pdf | |
![]() | 445C35C30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35C30M00000.pdf | |
![]() | Y1442900R000T0L | RES 900 OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y1442900R000T0L.pdf | |
![]() | LS4N60-TC2 | LS4N60-TC2 LS SMD or Through Hole | LS4N60-TC2.pdf | |
![]() | M65831AP DIP | M65831AP DIP ORIGINAL SMD or Through Hole | M65831AP DIP.pdf | |
![]() | MAX8902ESA | MAX8902ESA MAXIM SOP8 | MAX8902ESA.pdf | |
![]() | 10MHZ/CSTCC10M2G23AN2-RO | 10MHZ/CSTCC10M2G23AN2-RO MURATA/ SMD or Through Hole | 10MHZ/CSTCC10M2G23AN2-RO.pdf | |
![]() | IN5379B | IN5379B ON SMD or Through Hole | IN5379B.pdf | |
![]() | 1N2059R | 1N2059R IR MODULE | 1N2059R.pdf | |
![]() | EW82845GV | EW82845GV INTEL BGA | EW82845GV.pdf | |
![]() | 15-05-7012 | 15-05-7012 MOLEX SMD or Through Hole | 15-05-7012.pdf | |
![]() | JY962S | JY962S N/A SMD or Through Hole | JY962S.pdf |