창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5227B-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 24옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5227B-G3-08 | |
관련 링크 | MMBZ5227B, MMBZ5227B-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F38435ALT | 38.4MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38435ALT.pdf | |
![]() | SIT8009AI-13-33E-125.008750E | OSC XO 3.3V 125.00875MHZ OE | SIT8009AI-13-33E-125.008750E.pdf | |
![]() | CRCW1206270KJNEA | RES SMD 270K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206270KJNEA.pdf | |
![]() | B39212-B7696-M810- | B39212-B7696-M810- ORIGINAL SMD or Through Hole | B39212-B7696-M810-.pdf | |
![]() | BGY2016c | BGY2016c PHILIPS SMD or Through Hole | BGY2016c.pdf | |
![]() | CD4000----TC4000BP | CD4000----TC4000BP TOS DIP | CD4000----TC4000BP.pdf | |
![]() | 984FB-6R8M | 984FB-6R8M TOKO D31FB4.7-82UH | 984FB-6R8M.pdf | |
![]() | TA7138AP | TA7138AP TOS N A | TA7138AP.pdf | |
![]() | K433 | K433 ORIGINAL SMD or Through Hole | K433.pdf | |
![]() | K4S643234E-SE10 | K4S643234E-SE10 SANSUNG BGA | K4S643234E-SE10.pdf | |
![]() | 5DA11 | 5DA11 ORIGINAL BGA | 5DA11.pdf | |
![]() | WL1J686M0811MPG180 | WL1J686M0811MPG180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL1J686M0811MPG180.pdf |