창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5226C-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5226C-E3-18 | |
관련 링크 | MMBZ5226C, MMBZ5226C-E3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 403C35E30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35E30M00000.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2B2-XXE100.00000Y | OSC XO 100MHZ | SIT9121AI-2B2-XXE100.00000Y.pdf | |
![]() | SI8236AA-D-IM | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 1000Vrms 2 Channel 14-LGA (5x5) | SI8236AA-D-IM.pdf | |
![]() | R25101.5T3 | R25101.5T3 LITTELFUSE SMD or Through Hole | R25101.5T3.pdf | |
![]() | MD909ST-5-100 | MD909ST-5-100 MOT PLCC | MD909ST-5-100.pdf | |
![]() | DF16-14DS-0.5V | DF16-14DS-0.5V Hirose SMD | DF16-14DS-0.5V.pdf | |
![]() | FDC655BN-NL TEL:82766440 | FDC655BN-NL TEL:82766440 FAIRCHIL SMD or Through Hole | FDC655BN-NL TEL:82766440.pdf | |
![]() | ERG24-03 | ERG24-03 FUJI SMD or Through Hole | ERG24-03.pdf | |
![]() | TS6121H | TS6121H LB SMD or Through Hole | TS6121H.pdf | |
![]() | 74C14M | 74C14M NS 3.9MM | 74C14M.pdf | |
![]() | UPA868TS-T3-A | UPA868TS-T3-A NEC SMD or Through Hole | UPA868TS-T3-A.pdf | |
![]() | BLF881S,112 | BLF881S,112 NXP SOT467 | BLF881S,112.pdf |