창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5226BS-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221BS - 5259BS | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5226BSDITR MMBZ5226BSTR MMBZ5226BSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5226BS-7 | |
| 관련 링크 | MMBZ522, MMBZ5226BS-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
|  | BFC237526133 | 0.013µF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.335" W (18.50mm x 8.50mm) | BFC237526133.pdf | |
|  | BZW04-213B-E3/54 | TVS DIODE 213VWM 344VC DO204AL | BZW04-213B-E3/54.pdf | |
|  | ABM8G-28.63636MHZ-B4Y-T | 28.63636MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-28.63636MHZ-B4Y-T.pdf | |
|  | CRCW020162R0FKED | RES SMD 62 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020162R0FKED.pdf | |
| 4608X-104-221/271L | RES NETWORK 12 RES MULT OHM 8SIP | 4608X-104-221/271L.pdf | ||
|  | 1AB18832AAAA | 1AB18832AAAA ALCATEL BGA | 1AB18832AAAA.pdf | |
|  | X850(AGP) 215RAGCGA11F | X850(AGP) 215RAGCGA11F ATI BGA | X850(AGP) 215RAGCGA11F.pdf | |
|  | PC10NG-0505E2:1H30LF | PC10NG-0505E2:1H30LF PEAK SMD or Through Hole | PC10NG-0505E2:1H30LF.pdf | |
|  | MN662783RPWJ | MN662783RPWJ ORIGINAL SMD or Through Hole | MN662783RPWJ.pdf | |
|  | INA34063 | INA34063 AGILENT SMD or Through Hole | INA34063.pdf | |
|  | PRCF-11 | PRCF-11 OMRON SMD or Through Hole | PRCF-11.pdf |