창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5226B-G3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5226B-G3-08 | |
| 관련 링크 | MMBZ5226B, MMBZ5226B-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CGA6M2X7R1H155K200AA | 1.5µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M2X7R1H155K200AA.pdf | |
![]() | S499D25C0HR64K7R | 4.9pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 | S499D25C0HR64K7R.pdf | |
![]() | ECS-240-20-7SX-TR | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-240-20-7SX-TR.pdf | |
![]() | BOOK GAN FET | TEXT GAN TRANSISTORS | BOOK GAN FET.pdf | |
![]() | TLE4997E2 | IC HALL SENSOR LINEAR SSO-3 | TLE4997E2.pdf | |
![]() | 710001FAR003 | 710001FAR003 infineon QFP | 710001FAR003.pdf | |
![]() | X1806 | X1806 MOTOROLA SOP | X1806.pdf | |
![]() | DS7831WB | DS7831WB TexasInstruments SMD or Through Hole | DS7831WB.pdf | |
![]() | TLV1117-15IKVURG3 | TLV1117-15IKVURG3 TI PFM | TLV1117-15IKVURG3.pdf | |
![]() | HT-297USD/NB | HT-297USD/NB HARVATEK ROHS | HT-297USD/NB.pdf | |
![]() | P80C51FA24 | P80C51FA24 INTEL DIP | P80C51FA24.pdf | |
![]() | 12F100M | 12F100M IR MODULE | 12F100M.pdf |