창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5225C-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5225C-G3-08 | |
관련 링크 | MMBZ5225C, MMBZ5225C-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | TMS55160LGW-A60 | TMS55160LGW-A60 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS55160LGW-A60.pdf | |
![]() | 25AA640AT-I/MNY | 25AA640AT-I/MNY Microchip 8-TDFN | 25AA640AT-I/MNY.pdf | |
![]() | KBL303 | KBL303 DEC SMD or Through Hole | KBL303.pdf | |
![]() | HA1631 | HA1631 HIT DIP | HA1631.pdf | |
![]() | SY89329VMGTR | SY89329VMGTR MICREL QFN | SY89329VMGTR.pdf | |
![]() | ZL30VC | ZL30VC TC SMD or Through Hole | ZL30VC.pdf |