창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5225BLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5225BLT1GOS MMBZ5225BLT1GOS-ND MMBZ5225BLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5225BLT1G | |
관련 링크 | MMBZ522, MMBZ5225BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D6R2DXBAP | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R2DXBAP.pdf | |
![]() | DSC2033FI5-G0001 | 100MHz, 125MHz, 148.5MHz, 150MHz, 156.25MHz, 400MHz LVDS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-SMD, No Lead (QFN, LCC) 2.25 V ~ 3.6 V 38mA (Typ) Enable/Disable | DSC2033FI5-G0001.pdf | |
![]() | BLF6G10L-260PBM:11 | TRANS LDMOS SOT1110A3/B3 | BLF6G10L-260PBM:11.pdf | |
![]() | AT24C21-10SI-2.7. | AT24C21-10SI-2.7. ATMEL SOP8 | AT24C21-10SI-2.7..pdf | |
![]() | MTC160 | MTC160 MTC NA | MTC160.pdf | |
![]() | TMP87CM21CDF-4UF9 | TMP87CM21CDF-4UF9 TOSHIB QFP | TMP87CM21CDF-4UF9.pdf | |
![]() | MAX8900AEVKIT+ | MAX8900AEVKIT+ MAXIM KIT | MAX8900AEVKIT+.pdf | |
![]() | GJ1085-33/TO-252 | GJ1085-33/TO-252 GTM SMD or Through Hole | GJ1085-33/TO-252.pdf | |
![]() | CD4529BE | CD4529BE HAR DIP-16 | CD4529BE.pdf | |
![]() | 1-1954289-1 | 1-1954289-1 TYCO SMD or Through Hole | 1-1954289-1.pdf | |
![]() | WP3220-BB | WP3220-BB XX XX | WP3220-BB.pdf |