창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5222BLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5222BLT1GOS MMBZ5222BLT1GOS-ND MMBZ5222BLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5222BLT1G | |
관련 링크 | MMBZ522, MMBZ5222BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | V550LT80CPX2855 | VARISTOR 880V 10KA DISC 20MM | V550LT80CPX2855.pdf | |
![]() | Y000789K8000T0L | RES 89.8K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000789K8000T0L.pdf | |
![]() | 472815000 | 472815000 RAYCHEM SMD or Through Hole | 472815000.pdf | |
![]() | TA8157AFN | TA8157AFN TOS TSSOP24 | TA8157AFN.pdf | |
![]() | H9000 | H9000 AVAGO ZIP | H9000.pdf | |
![]() | AD22C-6MM | AD22C-6MM JSH SMD or Through Hole | AD22C-6MM.pdf | |
![]() | 154K400B06L4 | 154K400B06L4 KEMET SMD or Through Hole | 154K400B06L4.pdf | |
![]() | OHS1946P | OHS1946P SAMSUNG SOP24 | OHS1946P.pdf | |
![]() | CY7C199-35LMB | CY7C199-35LMB CY LCC28 | CY7C199-35LMB.pdf | |
![]() | SM5024B | SM5024B NPC SOP | SM5024B.pdf | |
![]() | PCK2002PDP,118 | PCK2002PDP,118 NXP SMD or Through Hole | PCK2002PDP,118.pdf | |
![]() | NQ20X8201J(150V8200PF) | NQ20X8201J(150V8200PF) SOSHIN SMD or Through Hole | NQ20X8201J(150V8200PF).pdf |