창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ4688-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ4681-G thru MMBZ4717-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ4688-G3-18 | |
관련 링크 | MMBZ4688, MMBZ4688-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F32013AAR | 32MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013AAR.pdf | |
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![]() | CPR1025R00KE10 | RES 25 OHM 10W 10% RADIAL | CPR1025R00KE10.pdf | |
![]() | NTD5865NT4G | NTD5865NT4G ORIGINAL SMD or Through Hole | NTD5865NT4G.pdf | |
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![]() | LM318P.. | LM318P.. NS SMD or Through Hole | LM318P...pdf | |
![]() | MB2147-10-E | MB2147-10-E FUJITSU SMD or Through Hole | MB2147-10-E.pdf | |
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![]() | BJR | BJR ORIGINAL SMD or Through Hole | BJR.pdf | |
![]() | K7N32645M-QC25 | K7N32645M-QC25 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7N32645M-QC25.pdf | |
![]() | TON15-2410WISM | TON15-2410WISM TRACOPOWER DCAC | TON15-2410WISM.pdf | |
![]() | ELD-516SYGWA/S530-E2 | ELD-516SYGWA/S530-E2 EVERLIGHT DIP | ELD-516SYGWA/S530-E2.pdf |