창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ12VALT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZyyyALT1 Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | ASMC 28/Jun/2016 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 8.5V | |
| 전압 - 항복(최소) | 11.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 17V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.35A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 40W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ12VALT1GOS MMBZ12VALT1GOS-ND MMBZ12VALT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ12VALT1G | |
| 관련 링크 | MMBZ12V, MMBZ12VALT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC1608F1742CS | RES SMD 17.4K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F1742CS.pdf | |
![]() | RMCF1206FT16R0 | RES SMD 16 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT16R0.pdf | |
![]() | H10A | H10A Raltron SMD or Through Hole | H10A.pdf | |
![]() | ALVCH162280 | ALVCH162280 TI TSSOP-64 | ALVCH162280.pdf | |
![]() | FMP-100JT-52-470R | FMP-100JT-52-470R YAGEO DIPSOP | FMP-100JT-52-470R.pdf | |
![]() | PEB2091N V5.3 | PEB2091N V5.3 lnfineon PLCC | PEB2091N V5.3.pdf | |
![]() | 595D475X9020B2TE3 | 595D475X9020B2TE3 VISHAY SMD | 595D475X9020B2TE3.pdf | |
![]() | BCR12AM-8. | BCR12AM-8. MITSUBISHI TO-220F | BCR12AM-8..pdf | |
![]() | AD587JN/KN | AD587JN/KN AD DIP | AD587JN/KN.pdf | |
![]() | D36A35.0000ENS | D36A35.0000ENS HOSONIC SMD or Through Hole | D36A35.0000ENS.pdf | |
![]() | PT6719N | PT6719N TIS Call | PT6719N.pdf | |
![]() | 16LF737-I/SS | 16LF737-I/SS MICROCHIP SMD or Through Hole | 16LF737-I/SS.pdf |