창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBTH10-4LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM_SM_NSV_MMBTH10L | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 25V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 800MHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | - | |
| 이득 | - | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBTH10-4LT1G-ND MMBTH10-4LT1GOSTR MMBTH104LT1G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBTH10-4LT1G | |
| 관련 링크 | MMBTH10, MMBTH10-4LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B43041B2476M | 47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B43041B2476M.pdf | |
![]() | RG1608P-3832-D-T5 | RES SMD 38.3KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-3832-D-T5.pdf | |
![]() | RG2012N-391-B-T5 | RES SMD 390 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-391-B-T5.pdf | |
![]() | MSF4800B-14-0280-10X-10R-RMX | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800B-14-0280-10X-10R-RMX.pdf | |
![]() | APL3204B | APL3204B ANPEC SOT | APL3204B.pdf | |
![]() | TC9188N | TC9188N TOSHIBA DIP | TC9188N.pdf | |
![]() | IRD3900 | IRD3900 IR DO-203AB(DO-5) | IRD3900.pdf | |
![]() | LTC3525LESC6-3#TRPBF | LTC3525LESC6-3#TRPBF LINEARTECHNOLOGY SOT363 | LTC3525LESC6-3#TRPBF.pdf | |
![]() | UPD65612GB-028-3B4 | UPD65612GB-028-3B4 NEC SMD or Through Hole | UPD65612GB-028-3B4.pdf | |
![]() | SKT90/12 | SKT90/12 Semikron module | SKT90/12.pdf | |
![]() | XC95144XL-7TQ144 | XC95144XL-7TQ144 XILINX SMD or Through Hole | XC95144XL-7TQ144.pdf | |
![]() | BWF236-05TR24 | BWF236-05TR24 VITROHM SMD or Through Hole | BWF236-05TR24.pdf |