창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBTA56LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBTA55L/56L, SMMBTA56L Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 50MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBTA56LT1GOS MMBTA56LT1GOS-ND MMBTA56LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBTA56LT1G | |
| 관련 링크 | MMBTA5, MMBTA56LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SM30T19AY | TVS DIODE 16VWM 26VC SMC | SM30T19AY.pdf | |
![]() | 196332-06041-3 | 196332-06041-3 P-two NA | 196332-06041-3.pdf | |
![]() | 25YXF470MT810X16 | 25YXF470MT810X16 RUBYCON Call | 25YXF470MT810X16.pdf | |
![]() | STI5518BDQC | STI5518BDQC ST QFP | STI5518BDQC.pdf | |
![]() | HVU12-9TRU | HVU12-9TRU HITACHI SMD or Through Hole | HVU12-9TRU.pdf | |
![]() | RS15M11EJA02 | RS15M11EJA02 ALPS SMD or Through Hole | RS15M11EJA02.pdf | |
![]() | NJM2150AMTE1 | NJM2150AMTE1 JRC SMD or Through Hole | NJM2150AMTE1.pdf | |
![]() | ESDA5VAW6T1G | ESDA5VAW6T1G ON SC-88 | ESDA5VAW6T1G.pdf | |
![]() | TC55V1001ASTI-10L | TC55V1001ASTI-10L TOSH SMD or Through Hole | TC55V1001ASTI-10L.pdf | |
![]() | SI4562 | SI4562 SI SOP-8 | SI4562 .pdf |