창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBTA56-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBTA55,56 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 50MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBTA56-FDITR MMBTA567F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBTA56-7-F | |
| 관련 링크 | MMBTA5, MMBTA56-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H620JA01D | 62pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H620JA01D.pdf | |
![]() | SIT8008BI-23-33E-74.175800E | OSC XO 3.3V 74.1758MHZ OE | SIT8008BI-23-33E-74.175800E.pdf | |
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![]() | 1812 20K J | 1812 20K J TASUND SMD or Through Hole | 1812 20K J.pdf | |
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![]() | BZX84C33LT1.. | BZX84C33LT1.. ON SOT23 | BZX84C33LT1...pdf | |
![]() | BA033LBSG | BA033LBSG ROHM SOT-23-5 | BA033LBSG.pdf | |
![]() | 015Z5.1-Y (5.1V) | 015Z5.1-Y (5.1V) TOSHIBA SMD or Through Hole | 015Z5.1-Y (5.1V).pdf | |
![]() | CY8C21434-24LFXL | CY8C21434-24LFXL CY QFN | CY8C21434-24LFXL.pdf | |
![]() | 4379040 | 4379040 NEC QFP | 4379040.pdf |