창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBT5401LT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBT5401LT1,3 | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 19/May/2010 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 150V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | MMBT5401LT3G-ND MMBT5401LT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBT5401LT3G | |
관련 링크 | MMBT540, MMBT5401LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TVAN1652 | 20µF 400V Aluminum Capacitors Axial, Can | TVAN1652.pdf | |
![]() | S681K29Y5PP6UK5R | 680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S681K29Y5PP6UK5R.pdf | |
![]() | CPF-A-0805B15RE | RES SMD 15 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF-A-0805B15RE.pdf | |
![]() | CRA2512-JZ-R085ELF | RES SMD 0.085 OHM 5% 3W 2512 | CRA2512-JZ-R085ELF.pdf | |
![]() | CRCW0805107KFKTA | RES SMD 107K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805107KFKTA.pdf | |
![]() | TS3000GB2A1NCG8 | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 8VFQFPN | TS3000GB2A1NCG8.pdf | |
![]() | VC-2R8A80-2139A | VC-2R8A80-2139A MADE IN JAPAN SMD or Through Hole | VC-2R8A80-2139A.pdf | |
![]() | 15-04-5284 | 15-04-5284 MOLEX ORIGINAL | 15-04-5284.pdf | |
![]() | HY62V8100LLT1-70 | HY62V8100LLT1-70 HYUNDAI TSSOP28 | HY62V8100LLT1-70.pdf | |
![]() | MCH6535 | MCH6535 SANYO MCPH6 | MCH6535.pdf | |
![]() | SKQYPCE010 | SKQYPCE010 SMD/DIP ALPS | SKQYPCE010.pdf | |
![]() | D2N60S5 | D2N60S5 INFINEON SOT-252 | D2N60S5.pdf |