창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBT4126-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBT4126 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Copper bond wire 23/Feb/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Revision 23/Feb/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 25V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBT4126-FDITR MMBT41267F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBT4126-7-F | |
관련 링크 | MMBT412, MMBT4126-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 12065C683KAT2A | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C683KAT2A.pdf | |
![]() | ERA-V15J562V | RES TEMP SENS 5.6K OHM 5% 1/16W | ERA-V15J562V.pdf | |
![]() | ATEGM8A-AU | ATEGM8A-AU AT QFP | ATEGM8A-AU.pdf | |
![]() | G1402P1UF (pd) | G1402P1UF (pd) ORIGINAL SOP8 | G1402P1UF (pd).pdf | |
![]() | SGM9111YC5/TR | SGM9111YC5/TR SGMICRO SMD or Through Hole | SGM9111YC5/TR.pdf | |
![]() | AD840SQ/883 | AD840SQ/883 AD DIP | AD840SQ/883.pdf | |
![]() | 2272A | 2272A Texas SOP-8 | 2272A.pdf | |
![]() | TEESVA0G156M8RSY 4V15UF-A | TEESVA0G156M8RSY 4V15UF-A NEC SMD or Through Hole | TEESVA0G156M8RSY 4V15UF-A.pdf | |
![]() | UPD16372CN-107 | UPD16372CN-107 NEC SMD or Through Hole | UPD16372CN-107.pdf | |
![]() | JTXV2N5153L | JTXV2N5153L SCA TO-5 | JTXV2N5153L.pdf | |
![]() | MC3361BPL/ | MC3361BPL/ ORIGINAL SOP16 | MC3361BPL/.pdf |