창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBFJ309LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBFJ309L-10L, SMMBFJ309L-10L | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | N채널 JFET | |
| 주파수 | - | |
| 이득 | - | |
| 전압 - 테스트 | - | |
| 정격 전류 | 30mA | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | - | |
| 전력 - 출력 | - | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBFJ309LT1GOS MMBFJ309LT1GOS-ND MMBFJ309LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBFJ309LT1G | |
| 관련 링크 | MMBFJ30, MMBFJ309LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5336AE3/TR12 | DIODE ZENER 4.3V 5W T18 | 1N5336AE3/TR12.pdf | |
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![]() | IMC1210 6.8uH 10% | IMC1210 6.8uH 10% VISHAY SMD or Through Hole | IMC1210 6.8uH 10%.pdf | |
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