창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBFJ211 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | J210-12, MMBFJ210-12 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | N채널 JFET | |
| 주파수 | - | |
| 이득 | - | |
| 전압 - 테스트 | - | |
| 정격 전류 | 20mA | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | - | |
| 전력 - 출력 | - | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBFJ211-ND MMBFJ211TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBFJ211 | |
| 관련 링크 | MMBF, MMBFJ211 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237964274 | 0.27µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC237964274.pdf | |
![]() | WSL40261L000FEB | RES SMD 0.001 OHM 1% 3W 4026 | WSL40261L000FEB.pdf | |
![]() | RCP1206W680RJED | RES SMD 680 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W680RJED.pdf | |
![]() | ERX-1SJR47 | RES 0.47 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJR47.pdf | |
![]() | IRLU5505 | IRLU5505 IR TO-251 | IRLU5505.pdf | |
![]() | IS42S32400A-7TL | IS42S32400A-7TL ISSI TSOP-54 | IS42S32400A-7TL.pdf | |
![]() | 93AA56B-I/MS | 93AA56B-I/MS Microchip MSOP | 93AA56B-I/MS.pdf | |
![]() | 35349 | 35349 AMP SMD or Through Hole | 35349.pdf | |
![]() | GX1 | GX1 NS BGA-352P | GX1.pdf | |
![]() | RB30-820K-RC | RB30-820K-RC ALLIED DIP | RB30-820K-RC.pdf | |
![]() | 1DI50A-1K | 1DI50A-1K FUJI SMD or Through Hole | 1DI50A-1K.pdf | |
![]() | LQG21C1R0N00T1M00 | LQG21C1R0N00T1M00 MURATA SMD or Through Hole | LQG21C1R0N00T1M00.pdf |