창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBFJ108 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | J108-10, MMBFJ108 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N채널 | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | 25V | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 80mA @ 15V | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 3V @ 10nA | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | 8옴 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
전력 - 최대 | 350mW | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBFJ108-ND MMBFJ108TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBFJ108 | |
관련 링크 | MMBF, MMBFJ108 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | TC-100.000MDD-T | 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-100.000MDD-T.pdf | |
![]() | CRB25T29EFY2210 | CRB25T29EFY2210 ROHM SMD or Through Hole | CRB25T29EFY2210.pdf | |
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![]() | S-80843ANUP-ED7 | S-80843ANUP-ED7 SEIKO SOT-89 | S-80843ANUP-ED7.pdf | |
![]() | FSCQ0765RTY | FSCQ0765RTY FSC SMD or Through Hole | FSCQ0765RTY.pdf | |
![]() | ITF521 | ITF521 IR TO-220 | ITF521.pdf | |
![]() | VCT49XYFPYD1000 | VCT49XYFPYD1000 MIC SMD or Through Hole | VCT49XYFPYD1000.pdf | |
![]() | MA2SV0100KU / U | MA2SV0100KU / U Panasonic SOD-423 | MA2SV0100KU / U.pdf | |
![]() | 3000-00071-006/EC575563-E-6 | 3000-00071-006/EC575563-E-6 MEDUSA BGA | 3000-00071-006/EC575563-E-6.pdf | |
![]() | AT27BV1024-90VS/VI | AT27BV1024-90VS/VI MEMORY SMD | AT27BV1024-90VS/VI.pdf |