창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBF4393LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBF4391-93LT1 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 30V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 5mA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 500mV @ 10nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14pF @ 15V | |
| 저항 - RDS(On) | 100옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBF4393LT3G | |
| 관련 링크 | MMBF439, MMBF4393LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R7DLXAC | 2.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R7DLXAC.pdf | |
![]() | CRCW08051M69FKEA | RES SMD 1.69M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051M69FKEA.pdf | |
![]() | ERA-2ARB912X | RES SMD 9.1K OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2ARB912X.pdf | |
![]() | TC59S6408CFT80 | TC59S6408CFT80 TOS TSOP2 OB | TC59S6408CFT80.pdf | |
![]() | 16.3676MHZ/NT3225SA | 16.3676MHZ/NT3225SA NDK SMD | 16.3676MHZ/NT3225SA.pdf | |
![]() | BNM9 | BNM9 IDEC SMD or Through Hole | BNM9.pdf | |
![]() | MAX9725EEBCTG45 | MAX9725EEBCTG45 MAXIM SMD or Through Hole | MAX9725EEBCTG45.pdf | |
![]() | TSP53C36NL | TSP53C36NL TI DIP-16 | TSP53C36NL.pdf | |
![]() | E28F001B5T80 | E28F001B5T80 INTEL TSOP | E28F001B5T80.pdf | |
![]() | MMC2148HJ-2 | MMC2148HJ-2 NS CDIP18 | MMC2148HJ-2.pdf | |
![]() | 100350 | 100350 NSC DIP | 100350.pdf |