창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBF4393LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBF4391-93LT1 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 30V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 5mA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 500mV @ 10nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14pF @ 15V | |
| 저항 - RDS(On) | 100옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBF4393LT3G | |
| 관련 링크 | MMBF439, MMBF4393LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | L0402C68NJRMST | 68nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.2 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | L0402C68NJRMST.pdf | |
![]() | LT1064-6CN | LT1064-6CN LT SMD or Through Hole | LT1064-6CN.pdf | |
![]() | MC12079DG | MC12079DG ON SOP-8 | MC12079DG.pdf | |
![]() | TC59LM836DKB30B | TC59LM836DKB30B TOS SMD or Through Hole | TC59LM836DKB30B.pdf | |
![]() | 95P04CB1 | 95P04CB1 ST DIP8 | 95P04CB1.pdf | |
![]() | MDC200-08 | MDC200-08 GUERTE SMD or Through Hole | MDC200-08.pdf | |
![]() | MCMC62486FN14 | MCMC62486FN14 MOT PLCC44 | MCMC62486FN14.pdf | |
![]() | AD9851BRSZ-RL | AD9851BRSZ-RL ADI SMD or Through Hole | AD9851BRSZ-RL.pdf | |
![]() | CSE7780 | CSE7780 CHIPSEA SSOP | CSE7780.pdf | |
![]() | 87C552-4A68 | 87C552-4A68 PH PLCC | 87C552-4A68.pdf | |
![]() | DD419DJ | DD419DJ SIL DIP-8 | DD419DJ.pdf |