홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » MMBF170Q-7-F

Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F

MMBF170Q-7-F
제조업체 부품 번호
MMBF170Q-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MMBF170Q-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 49.02543
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MMBF170Q-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. MMBF170Q-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMBF170Q-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MMBF170Q-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MMBF170Q-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MMBF170Q-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMBF170Q
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C500mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5옴 @ 200mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds40pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름MMBF170Q-7-FDI
MMBF170Q-7-FDI-ND
MMBF170Q-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMBF170Q-7-F
관련 링크MMBF170, MMBF170Q-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
MMBF170Q-7-F 의 관련 제품
0.068µF 450V 세라믹 커패시터 CH 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) C4532CH2W683J320KA.pdf
47mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 40 Ohm Max Axial 5900-473-RC.pdf
Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module 8607340000.pdf
NCV1117DT25R2SK ON SOT-252 NCV1117DT25R2SK.pdf
FX052LD2-02-A1-DE2 IKANOS QFP FX052LD2-02-A1-DE2.pdf
STTC-140 METCAL SMD or Through Hole STTC-140.pdf
CX85200-11 CONEXANT TQFP CX85200-11.pdf
CYBU33840C CYPRESS SSOP CYBU33840C.pdf
SC123-4523 EPSON QFP 160 SC123-4523.pdf
OM5955 PHILIPS BGA OM5955.pdf
160BXC100M12.5X25 RUBYCON DIP 160BXC100M12.5X25.pdf