홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » MMBF170Q-7-F

Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F

MMBF170Q-7-F
제조업체 부품 번호
MMBF170Q-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MMBF170Q-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 49.02543
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MMBF170Q-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. MMBF170Q-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMBF170Q-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MMBF170Q-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MMBF170Q-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MMBF170Q-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMBF170Q
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C500mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5옴 @ 200mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds40pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름MMBF170Q-7-FDI
MMBF170Q-7-FDI-ND
MMBF170Q-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMBF170Q-7-F
관련 링크MMBF170, MMBF170Q-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
MMBF170Q-7-F 의 관련 제품
2700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) A272M15X7RF5TAA.pdf
0.18µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) BFC237022184.pdf
RES SMD 1.54K OHM 1% 1/10W 0603 RMCF0603FT1K54.pdf
1N268 ORIGINAL DIP 1N268.pdf
M28315DN MPS SOP8 M28315DN.pdf
644454-1 AMP SMD or Through Hole 644454-1.pdf
CIC9149BE CIC DIP24 CIC9149BE.pdf
DM11351-H2P2-4F FOXCONN SMD or Through Hole DM11351-H2P2-4F.pdf
SF12G42 ORIGINAL TO-220 SF12G42.pdf
3600B/36 (300) CHERRY SMD or Through Hole 3600B/36 (300).pdf
KE-RT39K KYUNGIN SMD or Through Hole KE-RT39K.pdf