창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBD4448HTW-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBD4448HxxW | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1594 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 3 독립형 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 70V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBD4448HTW-FDITR MMBD4448HTW7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBD4448HTW-7-F | |
| 관련 링크 | MMBD4448H, MMBD4448HTW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | PE0402FRF7W0R56L | RES SMD 0.56 OHM 1% 1/8W 0402 | PE0402FRF7W0R56L.pdf | |
![]() | SFR2500008060FR500 | RES 806 OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500008060FR500.pdf | |
![]() | P51-1500-A-AF-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-AF-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | SM-4EW1K-OHM(102) | SM-4EW1K-OHM(102) COPAL SMD or Through Hole | SM-4EW1K-OHM(102).pdf | |
![]() | SI-3011ZD | SI-3011ZD SANKEN TO-263-5 | SI-3011ZD.pdf | |
![]() | TPS54880PWP | TPS54880PWP TI HTSSOP28 | TPS54880PWP.pdf | |
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![]() | XCV1000EFG860-6C | XCV1000EFG860-6C ORIGINAL BGA-860D | XCV1000EFG860-6C.pdf | |
![]() | CS7486AMT | CS7486AMT Cypress NA | CS7486AMT.pdf | |
![]() | CSTCE16M0V13C0H-R0 | CSTCE16M0V13C0H-R0 MURATA SMD or Through Hole | CSTCE16M0V13C0H-R0.pdf |