창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBD4448HAQW-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBD4448HxxW | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 2쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBD4448HAQWDITR MMBD4448HAQWTR MMBD4448HAQWTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBD4448HAQW-7 | |
관련 링크 | MMBD4448, MMBD4448HAQW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
NS10165T6R8NNV | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 5.22A 16.8 mOhm Max Nonstandard | NS10165T6R8NNV.pdf | ||
ISC1812RVR12K | 120nH Shielded Wirewound Inductor 519mA 260 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RVR12K.pdf | ||
AS6312 | AS6312 ASemi SOT23-6 | AS6312.pdf | ||
BST100GDS | BST100GDS SIEMENS TO263-5 | BST100GDS.pdf | ||
DF16(2.0)-30DP-0.5V( | DF16(2.0)-30DP-0.5V( HRS SMD or Through Hole | DF16(2.0)-30DP-0.5V(.pdf | ||
G4F-1112TP-HT-DC12V | G4F-1112TP-HT-DC12V OMRON SMD or Through Hole | G4F-1112TP-HT-DC12V.pdf | ||
PS4008 | PS4008 NEC SMD or Through Hole | PS4008.pdf | ||
PIC18F6627T | PIC18F6627T ORIGINAL QFP64 | PIC18F6627T.pdf | ||
2SK1224 | 2SK1224 FUI TO-3P | 2SK1224.pdf | ||
ADEH-10MH | ADEH-10MH MINI SMD or Through Hole | ADEH-10MH.pdf | ||
GT24C16-2ZLI-T | GT24C16-2ZLI-T ORIGINAL BGA | GT24C16-2ZLI-T.pdf | ||
D9322 | D9322 ROHM SOP-8 | D9322.pdf |