창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBD4448HAQW-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBD4448HxxW | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 2쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBD4448HAQWDITR MMBD4448HAQWTR MMBD4448HAQWTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBD4448HAQW-7 | |
관련 링크 | MMBD4448, MMBD4448HAQW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GL1117-5.0TC3R | GL1117-5.0TC3R Gleam TO-252 | GL1117-5.0TC3R.pdf | |
![]() | HM628512BLFP | HM628512BLFP HITACHI SOP | HM628512BLFP.pdf | |
![]() | RO2W500EJT | RO2W500EJT ORIGINAL SMD or Through Hole | RO2W500EJT.pdf | |
![]() | XC6209F522PR | XC6209F522PR TOREX SOT-89-6 | XC6209F522PR.pdf | |
![]() | MAX6866UK37D3L+T | MAX6866UK37D3L+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6866UK37D3L+T.pdf | |
![]() | M24C04BN 6 | M24C04BN 6 ST DIP | M24C04BN 6.pdf | |
![]() | DF9A-13S-1V | DF9A-13S-1V Hirose SMD or Through Hole | DF9A-13S-1V.pdf | |
![]() | 1826-1038 | 1826-1038 LINFINIT SMD or Through Hole | 1826-1038.pdf | |
![]() | GPFM4004 | GPFM4004 MDD SMA-S(DO-214AC) | GPFM4004.pdf | |
![]() | 2SB822P | 2SB822P TOSHIBA DIP | 2SB822P.pdf | |
![]() | ASX200A4H | ASX200A4H NAIS SMD or Through Hole | ASX200A4H.pdf | |
![]() | ESDZ5.0T1G | ESDZ5.0T1G ON SOD523 | ESDZ5.0T1G.pdf |