창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM5Z36VT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM5ZyyyT1G, SZMM5ZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM5Z36VT1GOS MM5Z36VT1GOS-ND MM5Z36VT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM5Z36VT1G | |
| 관련 링크 | MM5Z36, MM5Z36VT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C967U682MZVDBA7317 | 6800pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | C967U682MZVDBA7317.pdf | |
![]() | C1206V223KBRACTU | 0.022µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206V223KBRACTU.pdf | |
![]() | ECW-H16222HVB | 2200pF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | ECW-H16222HVB.pdf | |
![]() | RT0402CRD0743K2L | RES SMD 43.2K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD0743K2L.pdf | |
![]() | SD007 | SD007 ORIGINAL SMD20 | SD007.pdf | |
![]() | 2N6980 | 2N6980 SPE TO-3P | 2N6980.pdf | |
![]() | 640445-5 | 640445-5 AMP SMD or Through Hole | 640445-5.pdf | |
![]() | K6X8016C3B-TF55T | K6X8016C3B-TF55T SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X8016C3B-TF55T.pdf | |
![]() | MC68CK331CP | MC68CK331CP MC TQFP | MC68CK331CP.pdf | |
![]() | ISL22326WMVEP | ISL22326WMVEP IC SMD or Through Hole | ISL22326WMVEP.pdf |