창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MM3Z9V1ST1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MM3ZzzzST1G, SZMM3ZzzzST1GSeries | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MM3Z9V1ST1GOS MM3Z9V1ST1GOS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MM3Z9V1ST1G | |
관련 링크 | MM3Z9V, MM3Z9V1ST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BRC2016T100M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 400 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | BRC2016T100M.pdf | ||
T930S16MC | T930S16MC EUPEC Module | T930S16MC.pdf | ||
LC4128B75T128-10I | LC4128B75T128-10I LC QFP | LC4128B75T128-10I.pdf | ||
VP0640N3 | VP0640N3 VISHAY TO-92 | VP0640N3.pdf | ||
RD36U/36V | RD36U/36V NEC SMD or Through Hole | RD36U/36V.pdf | ||
BLF041MGC-6V-P | BLF041MGC-6V-P Kingbright SMD or Through Hole | BLF041MGC-6V-P.pdf | ||
CA-4.0-016-124-SVN323 | CA-4.0-016-124-SVN323 QTC SMD or Through Hole | CA-4.0-016-124-SVN323.pdf | ||
RL25FR004 | RL25FR004 SKYWELLTECHNOLOGY SMD or Through Hole | RL25FR004.pdf | ||
SGRH5D28-221M | SGRH5D28-221M ORIGINAL 5MM | SGRH5D28-221M.pdf | ||
KIA2576PI00-U/P | KIA2576PI00-U/P KEC TO-220IS | KIA2576PI00-U/P.pdf | ||
BZX79-C47.133 | BZX79-C47.133 NXP SOD27 | BZX79-C47.133.pdf | ||
TCSCL1A336MTAR | TCSCL1A336MTAR SAMSUNG SMD | TCSCL1A336MTAR.pdf |