창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MM3Z6V8T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MM3Z6V8T1GOS MM3Z6V8T1GOS-ND MM3Z6V8T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MM3Z6V8T1G | |
관련 링크 | MM3Z6V, MM3Z6V8T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
510DX567M050EK2D | 560µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | 510DX567M050EK2D.pdf | ||
ERA-8APB9530V | RES SMD 953 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB9530V.pdf | ||
MCA12060D1270BP100 | RES SMD 127 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1270BP100.pdf | ||
RD33E-T1 B1 | RD33E-T1 B1 NEC DO35 | RD33E-T1 B1.pdf | ||
LQW31HN84NK03 | LQW31HN84NK03 MURATA SMD or Through Hole | LQW31HN84NK03.pdf | ||
SCC68692C1A44,518 | SCC68692C1A44,518 NXP SOT187 | SCC68692C1A44,518.pdf | ||
LP3965ES-12 | LP3965ES-12 NS SMD or Through Hole | LP3965ES-12.pdf | ||
A-808H | A-808H PARA ROHS | A-808H.pdf | ||
WM8993ECS | WM8993ECS Wolfson SMD or Through Hole | WM8993ECS.pdf |