창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z6V8T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z6V8T1GOS MM3Z6V8T1GOS-ND MM3Z6V8T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z6V8T1G | |
| 관련 링크 | MM3Z6V, MM3Z6V8T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC247022393 | 0.039µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC247022393.pdf | |
![]() | S1008R-472J | 4.7µH Shielded Inductor 305mA 1.2 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | S1008R-472J.pdf | |
![]() | 472J/100V/CBB | 472J/100V/CBB ORIGINAL p5 | 472J/100V/CBB.pdf | |
![]() | 9864C-1047 | 9864C-1047 ORIGINAL DIP | 9864C-1047.pdf | |
![]() | ESA20.0000F20D35F | ESA20.0000F20D35F ORIGINAL DIP | ESA20.0000F20D35F.pdf | |
![]() | R-12U069EE | R-12U069EE MITSUMI SMD or Through Hole | R-12U069EE.pdf | |
![]() | MBE04140C1303FC100 | MBE04140C1303FC100 VISHAY SMD or Through Hole | MBE04140C1303FC100.pdf | |
![]() | FS1008-122K | FS1008-122K PREMO SMD or Through Hole | FS1008-122K.pdf | |
![]() | S-2914AIF10 | S-2914AIF10 SEIKO SMD | S-2914AIF10.pdf | |
![]() | SN74183N | SN74183N TI DIP | SN74183N.pdf | |
![]() | TLV2372IDT | TLV2372IDT TI SOP8 | TLV2372IDT.pdf |