창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z5V6ST1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZzzzST1G, SZMM3ZzzzST1GSeries | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z5V6ST1GOS MM3Z5V6ST1GOS-ND MM3Z5V6ST1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z5V6ST1G | |
| 관련 링크 | MM3Z5V, MM3Z5V6ST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C681M8RACTU | 680pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C681M8RACTU.pdf | |
![]() | RN73C2A422KBTDF | RES SMD 422K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A422KBTDF.pdf | |
![]() | RT0805DRE079K76L | RES SMD 9.76K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE079K76L.pdf | |
![]() | 150R | 150R TDK SMD or Through Hole | 150R.pdf | |
![]() | HCPL-M61N | HCPL-M61N AVAGO DIPSOP | HCPL-M61N.pdf | |
![]() | MBV160BE90PBN00 | MBV160BE90PBN00 FUJITSU TSSOP | MBV160BE90PBN00.pdf | |
![]() | L1A2193 | L1A2193 LSI PGA | L1A2193.pdf | |
![]() | S05A45 | S05A45 MOSPEC TO | S05A45.pdf | |
![]() | SB0503C-TBE | SB0503C-TBE SANYO SMD or Through Hole | SB0503C-TBE.pdf | |
![]() | V614ME07 | V614ME07 Z-COMM SMD or Through Hole | V614ME07.pdf | |
![]() | 2406-6122TG | 2406-6122TG ATMEL SMD or Through Hole | 2406-6122TG.pdf | |
![]() | TDA9365PS/N1/NK0089 | TDA9365PS/N1/NK0089 PHI DIP | TDA9365PS/N1/NK0089.pdf |