창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z3V9T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z3V9T1GOS MM3Z3V9T1GOS-ND MM3Z3V9T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z3V9T1G | |
| 관련 링크 | MM3Z3V, MM3Z3V9T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C901U120JYSDBAWL20 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U120JYSDBAWL20.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF6203U | RES SMD 620K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF6203U.pdf | |
![]() | 3703K-F06N-13R | 3703K-F06N-13R E&T SMD or Through Hole | 3703K-F06N-13R.pdf | |
![]() | DAC8564IDPWR | DAC8564IDPWR TI/BB TSSOP16 | DAC8564IDPWR.pdf | |
![]() | KR32M16DDR2 | KR32M16DDR2 ORIGINAL BGA | KR32M16DDR2.pdf | |
![]() | AZ23 C30 | AZ23 C30 VISHAY SOT-23 | AZ23 C30.pdf | |
![]() | TEESVJ1A475M8RF | TEESVJ1A475M8RF NEC SMD or Through Hole | TEESVJ1A475M8RF.pdf | |
![]() | D12/363 | D12/363 ROHM SOT-363 | D12/363.pdf | |
![]() | J2993D | J2993D SI TO-92 | J2993D.pdf | |
![]() | QX2303L30F | QX2303L30F QX SMD or Through Hole | QX2303L30F.pdf | |
![]() | CDRH125-221M(220UH,20%) | CDRH125-221M(220UH,20%) SUMIDA INDUCTOR | CDRH125-221M(220UH,20%).pdf | |
![]() | IT8891BF-N/DY | IT8891BF-N/DY ITE QFP | IT8891BF-N/DY.pdf |