창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z2V7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3Z2V4B-MM3Z75VB | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Material 16/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1608 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 94옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 18µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z2V7BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z2V7B | |
| 관련 링크 | MM3Z, MM3Z2V7B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0603YC104MA12A | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603YC104MA12A.pdf | |
![]() | DC780-334K | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 305 mOhm Max Radial | DC780-334K.pdf | |
![]() | RMCF1210JT36K0 | RES SMD 36K OHM 5% 1/3W 1210 | RMCF1210JT36K0.pdf | |
![]() | NVS280-B | NVS280-B NVIDIA BGA | NVS280-B.pdf | |
![]() | CF48370-B-2 | CF48370-B-2 TI BGA | CF48370-B-2.pdf | |
![]() | K4X1G153PC-PGC3 | K4X1G153PC-PGC3 SAMSUNG BGA | K4X1G153PC-PGC3.pdf | |
![]() | X0405MF1AA2(PBFREE) | X0405MF1AA2(PBFREE) ST TO-202-3 | X0405MF1AA2(PBFREE).pdf | |
![]() | PS222S-RSP1 | PS222S-RSP1 SITI SMD or Through Hole | PS222S-RSP1.pdf | |
![]() | NB7L572MNR5G | NB7L572MNR5G ORIGINAL SMD or Through Hole | NB7L572MNR5G.pdf | |
![]() | BAS20 E6327 | BAS20 E6327 Infineon SOT23 | BAS20 E6327.pdf | |
![]() | S68HC705C8ACFB | S68HC705C8ACFB SAM TSOP | S68HC705C8ACFB.pdf | |
![]() | MAX6328UR28-T | MAX6328UR28-T MAXIM SOT-23 | MAX6328UR28-T.pdf |