창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z24VB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3Z2V4B-MM3Z75VB | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Material 16/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1608 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 65옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 45nA @ 16.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z24VBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z24VB | |
| 관련 링크 | MM3Z, MM3Z24VB 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MCR006YRTJ510 | RES SMD 51 OHM 5% 1/20W 0201 | MCR006YRTJ510.pdf | |
![]() | TC4-2510 | TC4-2510 MINI-CIR SMD | TC4-2510.pdf | |
![]() | FFSEM0565RN | FFSEM0565RN FAIRCHILD DIP-8 | FFSEM0565RN.pdf | |
![]() | SP491EENL/TR | SP491EENL/TR SIPEX SOP14 | SP491EENL/TR.pdf | |
![]() | 2SC1893 | 2SC1893 TOS TO-3 | 2SC1893.pdf | |
![]() | K4H560438JLCB3 | K4H560438JLCB3 Samsung SMD or Through Hole | K4H560438JLCB3.pdf | |
![]() | M68957-A3 | M68957-A3 ORIGINAL SMD or Through Hole | M68957-A3.pdf | |
![]() | B32520C1334J000 | B32520C1334J000 EPCOS SMD or Through Hole | B32520C1334J000.pdf | |
![]() | ADP8860DBCBZ-R7 | ADP8860DBCBZ-R7 AD BGA20 | ADP8860DBCBZ-R7.pdf | |
![]() | 367744-101 | 367744-101 Intel BGA | 367744-101.pdf | |
![]() | K4S561632B-TC75 | K4S561632B-TC75 SAMSUNG TSOP | K4S561632B-TC75.pdf |