창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z15VST1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZzzzST1G, SZMM3ZzzzST1GSeries | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 14.66V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z15VST1G-ND MM3Z15VST1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z15VST1G | |
| 관련 링크 | MM3Z15, MM3Z15VST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27122CAT | 27.12MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27122CAT.pdf | |
![]() | ECS-196-S-23B-TR | 19.6608MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-196-S-23B-TR.pdf | |
![]() | CRCW251222K0JNEGHP | RES SMD 22K OHM 5% 1.5W 2512 | CRCW251222K0JNEGHP.pdf | |
![]() | MB88141APF-G-BND-ERE | MB88141APF-G-BND-ERE ORIGINAL SOP | MB88141APF-G-BND-ERE.pdf | |
![]() | 1759033 | 1759033 PH SMD or Through Hole | 1759033.pdf | |
![]() | BZX585C3V0 | BZX585C3V0 PHI SOD-523 | BZX585C3V0.pdf | |
![]() | AD582TQ/883 | AD582TQ/883 AD DIP14 | AD582TQ/883.pdf | |
![]() | D3301N36T | D3301N36T EUPEC Module | D3301N36T.pdf | |
![]() | MAX4145ESD+ | MAX4145ESD+ MAX SMD or Through Hole | MAX4145ESD+.pdf | |
![]() | RS8015-EDG | RS8015-EDG ORISTER SON33-10 | RS8015-EDG.pdf | |
![]() | EAWJ500ELL220MJ16S | EAWJ500ELL220MJ16S NIPPON DIP | EAWJ500ELL220MJ16S.pdf | |
![]() | 215CACAKB26FG RV530 XT | 215CACAKB26FG RV530 XT NVIDIA BGA | 215CACAKB26FG RV530 XT.pdf |