창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MM3Z10VST1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MM3ZzzzST1G, SZMM3ZzzzST1GSeries | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MM3Z10VST1 MM3Z10VST1GOSTR MM3Z10VST1OSTR MM3Z10VST1OSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MM3Z10VST1G | |
관련 링크 | MM3Z10, MM3Z10VST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
EKY-100EC3102MH20D | 1000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EKY-100EC3102MH20D.pdf | ||
A154K20X7RF5TAA | 0.15µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.118" Dia x 0.197" L(3.00mm x 5.00mm) | A154K20X7RF5TAA.pdf | ||
PSMN5R8-40YS,115 | MOSFET N-CH 40V LFPAK | PSMN5R8-40YS,115.pdf | ||
HCPL-2211-300E | Logic Output Optoisolator 5MBd Push-Pull, Totem Pole 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs, 10kV/µs CMTI 8-DIP Gull Wing | HCPL-2211-300E.pdf | ||
NOIV2SE2000A-QDC | CMOS Image Sensor 1920H x 1080V 4.8µm x 4.8µm 52-PLCC (19.1x19.1) | NOIV2SE2000A-QDC.pdf | ||
IXFV22N50PS | IXFV22N50PS IXYS PLUS220SMD | IXFV22N50PS.pdf | ||
317A/YBAU | 317A/YBAU ORIGINAL MSOP10 | 317A/YBAU.pdf | ||
ICS651MILFT | ICS651MILFT ICS SOP 8 | ICS651MILFT.pdf | ||
AS1115-BQFT// TQFN-2 | AS1115-BQFT// TQFN-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AS1115-BQFT// TQFN-2.pdf | ||
FQP7N60B. | FQP7N60B. ORIGINAL SMD or Through Hole | FQP7N60B..pdf | ||
CDRH124-221M | CDRH124-221M ORIGINAL SMD or Through Hole | CDRH124-221M.pdf | ||
FI-C2012-562JJT | FI-C2012-562JJT CTC SMD | FI-C2012-562JJT.pdf |