창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJF18008G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJE18008, MJF18008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 450V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 700mV @ 900mA, 4.5V | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 14 @ 1A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 13MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MJF18008GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJF18008G | |
| 관련 링크 | MJF18, MJF18008G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F271X3ATR | 27.12MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3ATR.pdf | |
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![]() | LN513RAM | LN513RAM PANASONIC DIP | LN513RAM.pdf | |
![]() | TC74VHC573FTELKM | TC74VHC573FTELKM Toshiba SMD or Through Hole | TC74VHC573FTELKM.pdf | |
![]() | 26302.5HAT1L | 26302.5HAT1L ORIGINAL DIP | 26302.5HAT1L.pdf | |
![]() | 20809-286 | 20809-286 SCHROFF SMD or Through Hole | 20809-286.pdf | |
![]() | MC913G | MC913G MOT SMD or Through Hole | MC913G.pdf |