창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJE802G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJE700-703,800-803 | |
카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V | |
전력 - 최대 | 40W | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-225AA, TO-126-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-225AA | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | MJE802GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJE802G | |
관련 링크 | MJE8, MJE802G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
08055J470GAWTR | 47pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J470GAWTR.pdf | ||
416F38013ASR | 38MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38013ASR.pdf | ||
416F27113IAR | 27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27113IAR.pdf | ||
SIT8008AC-83-18S-50.000000Y | OSC XO 1.8V 50MHZ ST | SIT8008AC-83-18S-50.000000Y.pdf | ||
SMLK18WBJCW | White LED Indication - Discrete 3.9V 2-SMD, Flat Lead | SMLK18WBJCW.pdf | ||
WW12FTR240 | RES 0.24 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FTR240.pdf | ||
PCF50601ET/M5/M1 | PCF50601ET/M5/M1 PHILIPS BGA | PCF50601ET/M5/M1.pdf | ||
39SF010A-70-4C | 39SF010A-70-4C SST PLCC | 39SF010A-70-4C.pdf | ||
PMB4626 V1.1 | PMB4626 V1.1 Infineon BGA | PMB4626 V1.1.pdf | ||
XC56307GC100DR2 | XC56307GC100DR2 MOTOROLA SMD or Through Hole | XC56307GC100DR2.pdf | ||
SG7808AIG/883B | SG7808AIG/883B MSC DIP | SG7808AIG/883B.pdf | ||
ERJ2RKF2553X | ERJ2RKF2553X NIPPON DIP-2 | ERJ2RKF2553X.pdf |