창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJE5850G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJE5850,1,2 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 5V @ 3A, 8A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MJE5850GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJE5850G | |
| 관련 링크 | MJE5, MJE5850G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 760M20552C-175 | AXIAL FILM | 760M20552C-175.pdf | |
![]() | VS-VSKL105/16 | MODULE DIODE 1600V 105A ADD-A-PA | VS-VSKL105/16.pdf | |
![]() | RG2012N-5231-D-T5 | RES SMD 5.23K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-5231-D-T5.pdf | |
![]() | 90J150 | RES 150 OHM 11W 5% AXIAL | 90J150.pdf | |
![]() | CAT37TDI-T3 NOPB | CAT37TDI-T3 NOPB ON SOT153 | CAT37TDI-T3 NOPB.pdf | |
![]() | MSL-516ZW-W15-4L | MSL-516ZW-W15-4L ORIGINAL SMD1206 | MSL-516ZW-W15-4L.pdf | |
![]() | 268-5401-52-1102JH | 268-5401-52-1102JH M SMD or Through Hole | 268-5401-52-1102JH.pdf | |
![]() | ELXA251LGC562TEE0N | ELXA251LGC562TEE0N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ELXA251LGC562TEE0N.pdf | |
![]() | ADP2102YCPZ-0.8-R7 | ADP2102YCPZ-0.8-R7 ADI LFCSP-8 | ADP2102YCPZ-0.8-R7.pdf | |
![]() | TLRE17080R5 | TLRE17080R5 DELTA SMD or Through Hole | TLRE17080R5.pdf | |
![]() | RK73B3ATTED241J | RK73B3ATTED241J KOA SMD or Through Hole | RK73B3ATTED241J.pdf |