창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJE15032G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJE15032, 33 | |
PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 250V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 10 @ 2A, 5V | |
전력 - 최대 | 2W | |
주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MJE15032GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJE15032G | |
관련 링크 | MJE15, MJE15032G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | RCP0603W110RGEB | RES SMD 110 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W110RGEB.pdf | |
![]() | CFR25J4M7 | RES 4.7M OHM 1/3W 5% AXIAL | CFR25J4M7.pdf | |
![]() | L2D1707 | L2D1707 AGILENT BGA | L2D1707.pdf | |
![]() | 10V1200UF | 10V1200UF rubycon/nippon/nichicon SMD or Through Hole | 10V1200UF.pdf | |
![]() | FT245RL/RQ | FT245RL/RQ FTDI SSOPQFN | FT245RL/RQ.pdf | |
![]() | MAX3442EEPA+ | MAX3442EEPA+ Maxim SMD or Through Hole | MAX3442EEPA+.pdf | |
![]() | 09-67-1020(2461-02) | 09-67-1020(2461-02) ORIGINAL SMD or Through Hole | 09-67-1020(2461-02).pdf | |
![]() | MPS | MPS HMR SMD | MPS.pdf | |
![]() | PAL20C1CJ | PAL20C1CJ MMI CDIP24 | PAL20C1CJ.pdf | |
![]() | FAP3N | FAP3N ORIGINAL SOT-89 | FAP3N.pdf | |
![]() | D3S18 | D3S18 EUPEC SMD or Through Hole | D3S18.pdf |