창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJE15032G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJE15032, 33 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 250V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 10 @ 2A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MJE15032GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJE15032G | |
| 관련 링크 | MJE15, MJE15032G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CR0805-FX-3920ELF | RES SMD 392 OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-3920ELF.pdf | |
![]() | WHB25RFET | RES 25 OHM 1W 1% AXIAL | WHB25RFET.pdf | |
![]() | DAC102S085CIMM/NOPB | DAC102S085CIMM/NOPB NS SMD or Through Hole | DAC102S085CIMM/NOPB.pdf | |
![]() | LM29M12CT | LM29M12CT NSC TO-23 | LM29M12CT.pdf | |
![]() | RN2207(F) | RN2207(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN2207(F).pdf | |
![]() | PH868C12 | PH868C12 FUJI TO-247 | PH868C12.pdf | |
![]() | B0509S-5 | B0509S-5 MORNSUN SMD or Through Hole | B0509S-5.pdf | |
![]() | HYB39S256400DT-7 | HYB39S256400DT-7 ORIGINAL SMD | HYB39S256400DT-7.pdf | |
![]() | LTC4054LES54.2 | LTC4054LES54.2 LT SMD or Through Hole | LTC4054LES54.2.pdf | |
![]() | NCE03WL104E05RL | NCE03WL104E05RL MURATA SMD | NCE03WL104E05RL.pdf |