창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJE15029G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJE15028, 29, 30, 31 | |
PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 120V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 2V | |
전력 - 최대 | 50W | |
주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MJE15029GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJE15029G | |
관련 링크 | MJE15, MJE15029G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | HCK272MBCDF0KR | 2700pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.709" Dia(18.00mm) | HCK272MBCDF0KR.pdf | |
![]() | RE1206FRE0714K3L | RES SMD 14.3K OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0714K3L.pdf | |
![]() | LM108J8/883B | LM108J8/883B NSC DIP | LM108J8/883B.pdf | |
![]() | K4E641612C-GL60 | K4E641612C-GL60 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4E641612C-GL60.pdf | |
![]() | YNA100K2 | YNA100K2 XFMRS HSMD-12 | YNA100K2.pdf | |
![]() | 522071490+ | 522071490+ MOLEX SMD or Through Hole | 522071490+.pdf | |
![]() | TLP127(TPR | TLP127(TPR TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP127(TPR.pdf | |
![]() | NTMD6N03R2G 0N | NTMD6N03R2G 0N ON SOP | NTMD6N03R2G 0N.pdf | |
![]() | 419G | 419G SI SOP-8 | 419G.pdf | |
![]() | HEF4017BT,653 | HEF4017BT,653 NXPSEMI SMD or Through Hole | HEF4017BT,653.pdf |