창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD5731T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD5731 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 10MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD5731T4G | |
| 관련 링크 | MJD573, MJD5731T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| FE37M6P0106KB | 10µF Film Capacitor 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads 1.673" L x 1.181" W (42.50mm x 30.00mm) | FE37M6P0106KB.pdf | ||
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![]() | B0509XM-2W | B0509XM-2W MICRODC SMD or Through Hole | B0509XM-2W.pdf | |
![]() | 68610614122 | 68610614122 Hammond SOP | 68610614122.pdf | |
![]() | RK73B2ELTD120J | RK73B2ELTD120J KOA 1210- 12R 5 1 2W | RK73B2ELTD120J.pdf | |
![]() | DM74F112PC | DM74F112PC NS DIP | DM74F112PC.pdf | |
![]() | NMC27C512Q200 | NMC27C512Q200 NSC SMD or Through Hole | NMC27C512Q200.pdf | |
![]() | EPCOS4915 | EPCOS4915 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPCOS4915.pdf | |
![]() | HYB25L256160AF-7.5/P-TFBGA-54 | HYB25L256160AF-7.5/P-TFBGA-54 ORIGINAL SMD or Through Hole | HYB25L256160AF-7.5/P-TFBGA-54.pdf | |
![]() | ADG774BRUZ | ADG774BRUZ AD SSOP | ADG774BRUZ.pdf |