창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD5731T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD5731 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
주파수 - 트랜지션 | 10MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD5731T4G | |
관련 링크 | MJD573, MJD5731T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RN73C2A54K9BTD | RES SMD 54.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A54K9BTD.pdf | |
![]() | LZG-12MS | LZG-12MS FUJITSU/ DIP | LZG-12MS.pdf | |
![]() | SA8574T | SA8574T PHILIPS TSSOP-20 | SA8574T.pdf | |
![]() | EPIAEK10000G | EPIAEK10000G VIAINC SMD or Through Hole | EPIAEK10000G.pdf | |
![]() | 299D225X9025AB1 | 299D225X9025AB1 Kemet SMD or Through Hole | 299D225X9025AB1.pdf | |
![]() | HA13043 | HA13043 HITACHI ZIP | HA13043.pdf | |
![]() | NJM4056U | NJM4056U JTC SMD or Through Hole | NJM4056U.pdf | |
![]() | RK73B1ETTP202J | RK73B1ETTP202J KOA SMD or Through Hole | RK73B1ETTP202J.pdf | |
![]() | PM660TR | PM660TR N/A NA | PM660TR.pdf | |
![]() | CBB22 630V125J P27.5 | CBB22 630V125J P27.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB22 630V125J P27.5.pdf | |
![]() | ESMH3B1VSN681MR50S | ESMH3B1VSN681MR50S Chemi-con NA | ESMH3B1VSN681MR50S.pdf |