창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD45H11RLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD44H11, MJD45H11 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 90MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 1,800 | |
| 다른 이름 | MJD45H11RLG-ND MJD45H11RLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD45H11RLG | |
| 관련 링크 | MJD45H, MJD45H11RLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HF1008-272H | 2.7µH Unshielded Inductor 285mA 1.8 Ohm Max Nonstandard | HF1008-272H.pdf | |
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![]() | 2220VC80E2A155M-TS | 2220VC80E2A155M-TS ORIGINAL SMD | 2220VC80E2A155M-TS.pdf | |
![]() | LP62S1024BM-70LLT/Q | LP62S1024BM-70LLT/Q EATEMT SOP | LP62S1024BM-70LLT/Q.pdf | |
![]() | B3W-1050BYOMZ | B3W-1050BYOMZ Omron SMD or Through Hole | B3W-1050BYOMZ.pdf | |
![]() | LM384N/NOPB | LM384N/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM384N/NOPB.pdf | |
![]() | gmc04x7r473k16nt | gmc04x7r473k16nt CCE SMD or Through Hole | gmc04x7r473k16nt.pdf | |
![]() | SN75413NE | SN75413NE ORIGINAL DIP14 | SN75413NE.pdf | |
![]() | 215RACCGA11F(R420-4P) | 215RACCGA11F(R420-4P) ATI BGA | 215RACCGA11F(R420-4P).pdf | |
![]() | SP001SA-B | SP001SA-B SAMPLE SMD or Through Hole | SP001SA-B.pdf |