홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD32CT4G

ON Semiconductor MJD32CT4G

MJD32CT4G
제조업체 부품 번호
MJD32CT4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 100V 3A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD32CT4G 가격 및 조달

가능 수량

21050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 168.12956
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD32CT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MJD32CT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD32CT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD32CT4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD32CT4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD32CT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
카탈로그 페이지 1557 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)3A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A
전류 - 콜렉터 차단(최대)50µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
전력 - 최대1.56W
주파수 - 트랜지션3MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름MJD32CT4GOS
MJD32CT4GOS-ND
MJD32CT4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD32CT4G
관련 링크MJD32, MJD32CT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MJD32CT4G 의 관련 제품
120nH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 350 mOhm Max 2-SMD B82412A3121J.pdf
RES SMD 2.37K OHM 1% 1/8W 0805 AC0805FR-072K37L.pdf
RES SMD 38.3K OHM 1% 1/20W 0201 CRG0201F38K3.pdf
RC2424DPL R6634-13 CONEXANT PLCC84 RC2424DPL R6634-13.pdf
0805-R18K ORIGINAL SMD or Through Hole 0805-R18K.pdf
PMI5962- ORIGINAL c PMI5962-.pdf
216417-4 TYCO SMD or Through Hole 216417-4.pdf
MSL1161-TB ORIGINAL BGA MSL1161-TB.pdf
GHD-GB0901A GHD SMD or Through Hole GHD-GB0901A.pdf
0805/103k/50v SAMSUNG SMD or Through Hole 0805/103k/50v.pdf
VSP9402A B13 MICRONAS SMD or Through Hole VSP9402A B13.pdf
BYW32E-150 PHILIPS TO-220 BYW32E-150.pdf