창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD32C-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD32C | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 3MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD32C-13DITR MJD32C13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD32C-13 | |
| 관련 링크 | MJD32, MJD32C-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C941U152MYWDAA7317 | 1500pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U152MYWDAA7317.pdf | |
![]() | RFN20NS6STL | DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS | RFN20NS6STL.pdf | |
![]() | PHP00805E3120BST1 | RES SMD 312 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E3120BST1.pdf | |
![]() | CMF55475K00FKEA70 | RES 475K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55475K00FKEA70.pdf | |
![]() | CMF606K6500FKEB70 | RES 6.65K OHM 1W 1% AXIAL | CMF606K6500FKEB70.pdf | |
![]() | 20415-11P | 20415-11P MEXICO QFP | 20415-11P.pdf | |
![]() | 621NILFT | 621NILFT ORIGINAL SMD or Through Hole | 621NILFT.pdf | |
![]() | RC32GF161J | RC32GF161J ALLEN-BRADLEY SMD or Through Hole | RC32GF161J.pdf | |
![]() | HC1207 | HC1207 APT TO-254 | HC1207.pdf | |
![]() | 88I6314-GAA1-P107 | 88I6314-GAA1-P107 ORIGINAL SMD or Through Hole | 88I6314-GAA1-P107.pdf | |
![]() | MCP1727T-5002E/SN | MCP1727T-5002E/SN MICROCHIP SOIC-8-TR | MCP1727T-5002E/SN.pdf | |
![]() | UPD84610S8621G7 | UPD84610S8621G7 NEC TSBGA | UPD84610S8621G7.pdf |