창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD31CRLG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD31 (NPN), MJD32 (PNP) | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
주파수 - 트랜지션 | 3MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 1,800 | |
다른 이름 | MJD31CRLG-ND MJD31CRLGOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD31CRLG | |
관련 링크 | MJD31, MJD31CRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CK45-R3FD101K-NRA | 100pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | CK45-R3FD101K-NRA.pdf | ||
RT1210BRE0749R9L | RES SMD 49.9 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRE0749R9L.pdf | ||
ERD-S1TJ823V | RES 82K OHM 1/2W 5% AXIAL | ERD-S1TJ823V.pdf | ||
HN-DGW100WDW | HN-DGW100WDW ORIGINAL SMD or Through Hole | HN-DGW100WDW.pdf | ||
A2C10025 | A2C10025 infineon SOP20 | A2C10025.pdf | ||
7012540500MA | 7012540500MA SIBA SMD or Through Hole | 7012540500MA.pdf | ||
MV66401-25BO | MV66401-25BO ORIGINAL SMD or Through Hole | MV66401-25BO.pdf | ||
APM4800KC-TUL | APM4800KC-TUL ANPEC SOP-8 | APM4800KC-TUL.pdf | ||
1N4174 | 1N4174 N DIP | 1N4174.pdf | ||
RLZTE-11 27C | RLZTE-11 27C ROHM SMD | RLZTE-11 27C.pdf | ||
MCP809T-460I | MCP809T-460I MICROCHIP SOT-23 | MCP809T-460I.pdf | ||
P89CV51RD2FBC57 | P89CV51RD2FBC57 NXP SMD or Through Hole | P89CV51RD2FBC57.pdf |