창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD2955T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD2955, MJD3055 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 2MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD2955T4GOS MJD2955T4GOS-ND MJD2955T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD2955T4G | |
| 관련 링크 | MJD295, MJD2955T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 7V-25.000MAHJ-T | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-25.000MAHJ-T.pdf | |
![]() | Y00261R00000F0L | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 5W | Y00261R00000F0L.pdf | |
![]() | IDT7006S25TFP | IDT7006S25TFP IDT QFP | IDT7006S25TFP.pdf | |
![]() | AP4505GM | AP4505GM APEC SO-8(M) | AP4505GM.pdf | |
![]() | AP8855-28GL | AP8855-28GL ANSC SOT89 | AP8855-28GL.pdf | |
![]() | PVSP6244AZSPR | PVSP6244AZSPR TI SMD or Through Hole | PVSP6244AZSPR.pdf | |
![]() | HD74293 | HD74293 HIT CDIP | HD74293.pdf | |
![]() | 53780-0890 | 53780-0890 molex SMD | 53780-0890.pdf | |
![]() | P61089DR | P61089DR TI SOP-8 | P61089DR.pdf | |
![]() | TB31214FNG(EL) | TB31214FNG(EL) Toshiba SMD or Through Hole | TB31214FNG(EL).pdf | |
![]() | 9015L-B | 9015L-B UTC TO-92 | 9015L-B.pdf | |
![]() | 6CE33FS | 6CE33FS SANYO/ SMD-2 | 6CE33FS.pdf |