창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD243T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD243,253 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 40MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD243T4GOS MJD243T4GOS-ND MJD243T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD243T4G | |
| 관련 링크 | MJD24, MJD243T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1812SA561JAT1A | 560pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SA561JAT1A.pdf | |
![]() | VJ1812A151KBCAT4X | 150pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A151KBCAT4X.pdf | |
![]() | SD200N08PV | SD200N08PV IR DO-205AC(DO-30) | SD200N08PV.pdf | |
![]() | 19C200PA3K | 19C200PA3K HONEYWELL SMD or Through Hole | 19C200PA3K.pdf | |
![]() | 71V124SA-15Y | 71V124SA-15Y IDT SOJ | 71V124SA-15Y.pdf | |
![]() | SN75185DBRG4 | SN75185DBRG4 TI SSOP-20 | SN75185DBRG4.pdf | |
![]() | TM130DZ/CZ/PZ-M | TM130DZ/CZ/PZ-M ORIGINAL SMD or Through Hole | TM130DZ/CZ/PZ-M.pdf | |
![]() | NTD5865NL-1G | NTD5865NL-1G ON IPAK | NTD5865NL-1G.pdf | |
![]() | 01001-87-3010 | 01001-87-3010 PRECIDIP SMD or Through Hole | 01001-87-3010.pdf | |
![]() | 50NA100M10X26 | 50NA100M10X26 RUBYCON DIP | 50NA100M10X26.pdf | |
![]() | TPA2008D2PWR | TPA2008D2PWR TI TSSOP | TPA2008D2PWR.pdf | |
![]() | QG82943GML SL929 | QG82943GML SL929 ORIGINAL BGA | QG82943GML SL929.pdf |