창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD200G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD200, MJD210 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 25V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
주파수 - 트랜지션 | 65MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | MJD200G-ND MJD200GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD200G | |
관련 링크 | MJD2, MJD200G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
LMK212ABJ106KD-T | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | LMK212ABJ106KD-T.pdf | ||
Y006212K7000V0L | RES 12.7K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y006212K7000V0L.pdf | ||
MSF4800B-20-0720-20-0240-30X-3 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800B-20-0720-20-0240-30X-3.pdf | ||
SMD1008C1R0JNP | SMD1008C1R0JNP FIC SMD or Through Hole | SMD1008C1R0JNP.pdf | ||
4A002MH5 | 4A002MH5 SANYO MCPH5 | 4A002MH5.pdf | ||
HA2-2055/883 | HA2-2055/883 HARRIS CAN | HA2-2055/883.pdf | ||
D4062G | D4062G NEC SOP | D4062G.pdf | ||
TLP197GF | TLP197GF TOSHIBA SOP6 | TLP197GF.pdf | ||
BDS-2809D-100M-C1 | BDS-2809D-100M-C1 BUJOUN SMD or Through Hole | BDS-2809D-100M-C1.pdf | ||
MG80C286-10/Q | MG80C286-10/Q INTEL PGA | MG80C286-10/Q.pdf |