홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD127T4G

ON Semiconductor MJD127T4G

MJD127T4G
제조업체 부품 번호
MJD127T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD127T4G 가격 및 조달

가능 수량

16050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 189.92414
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD127T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MJD127T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD127T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD127T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD127T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD127T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD122/127, NJVMJD122/127
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
카탈로그 페이지 1557 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)8A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
전류 - 콜렉터 차단(최대)10µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
전력 - 최대1.75W
주파수 - 트랜지션4MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름MJD127T4GOS
MJD127T4GOS-ND
MJD127T4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD127T4G
관련 링크MJD12, MJD127T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MJD127T4G 의 관련 제품
24pF Mica Capacitor 500V Radial 0.276" L x 0.094" W (7.00mm x 2.40mm) CD6ED240JO3.pdf
RES SMD 130 OHM 5% 1W 2512 RC2512JK-07130RL.pdf
RES SMD 46.4K OHM 1/16W 0402 RT0402CRD0746K4L.pdf
SM5652-030-D-3-SL SMI SMD or Through Hole SM5652-030-D-3-SL.pdf
1210 1% 150R SUPEROHM SMD or Through Hole 1210 1% 150R.pdf
1494B/BEAJC MOTOROLA DIP 1494B/BEAJC.pdf
5820SM Microsemi DO214AB 5820SM.pdf
9001-62481C ORIGINAL SMD or Through Hole 9001-62481C.pdf
R05SS05 ORIGINAL SMD or Through Hole R05SS05.pdf
ERE74-07M FUJI SMD or Through Hole ERE74-07M.pdf
SF1197B RFM SMD SF1197B.pdf
FHW0603UFR68KST Fenghua SMD FHW0603UFR68KST.pdf