창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD127T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD122/127, NJVMJD122/127 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V | |
전력 - 최대 | 1.75W | |
주파수 - 트랜지션 | 4MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD127T4GOS MJD127T4GOS-ND MJD127T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD127T4G | |
관련 링크 | MJD12, MJD127T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AVS337M25F24B-F | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 800 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | AVS337M25F24B-F.pdf | |
![]() | 1SMC6.5CA TR13 | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMC | 1SMC6.5CA TR13.pdf | |
![]() | SP1008-104J | 100µH Shielded Wirewound Inductor 102mA 10.9 Ohm Max Nonstandard | SP1008-104J.pdf | |
![]() | 10YXG1500MLLC 10X23 | 10YXG1500MLLC 10X23 RUBYCON SMD or Through Hole | 10YXG1500MLLC 10X23.pdf | |
![]() | DB3TB | DB3TB TCKELCJTCON DO-35 | DB3TB.pdf | |
![]() | MF1MOA4S50 | MF1MOA4S50 NXP SMD | MF1MOA4S50.pdf | |
![]() | TG01-046NS | TG01-046NS HALO SOP6 | TG01-046NS.pdf | |
![]() | M32121MCB-150WG | M32121MCB-150WG SAMSUNG BGA | M32121MCB-150WG.pdf | |
![]() | SC551894MDWR2 | SC551894MDWR2 FREESCALE SOIC16 | SC551894MDWR2.pdf | |
![]() | D85M-009 | D85M-009 FUI SMD or Through Hole | D85M-009.pdf | |
![]() | HXTR2001 | HXTR2001 HG SMD or Through Hole | HXTR2001.pdf |