홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD117T4G

ON Semiconductor MJD117T4G

MJD117T4G
제조업체 부품 번호
MJD117T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD117T4G 가격 및 조달

가능 수량

13550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 219.28009
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD117T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MJD117T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD117T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD117T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD117T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD117T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD112,117
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
카탈로그 페이지 1557 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대1.75W
주파수 - 트랜지션25MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름MJD117T4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD117T4G
관련 링크MJD11, MJD117T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MJD117T4G 의 관련 제품
3.3µF 25V 세라믹 커패시터 X6S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) GRT32DC81E335KE01L.pdf
5977CQV ON DIP8 5977CQV.pdf
SDG20908DL/M SDT DIP SDG20908DL/M.pdf
84PLCC CARSEM PLCC-84 84PLCC.pdf
UPD65080R-038 NEC SMD or Through Hole UPD65080R-038.pdf
C007 ORIGINAL SMD or Through Hole C007.pdf
826953-5 TEConnectivity SMD or Through Hole 826953-5.pdf
DZ23C10 VISHAY SOT-23 DZ23C10.pdf
EC3C26 CINCON DIP5 EC3C26.pdf
H1624CG MNC SOP-16 H1624CG.pdf
G7S-3A3B DC24 ORIGINAL SMD or Through Hole G7S-3A3B DC24.pdf
MLX24704AB MELEXIS SOP16 MLX24704AB.pdf