홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD112T4G

ON Semiconductor MJD112T4G

MJD112T4G
제조업체 부품 번호
MJD112T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD112T4G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 207.71562
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD112T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MJD112T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD112T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD112T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD112T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD112T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD112,117
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대1.75W
주파수 - 트랜지션25MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름MJD112T4GOS
MJD112T4GOS-ND
MJD112T4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD112T4G
관련 링크MJD11, MJD112T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MJD112T4G 의 관련 제품
22µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C EMVA160ADA220MD55G.pdf
LED Lighting LM362A White, Warm 3500K 5.96V 100mA 120° 2-SMD, No Lead SPMWHT325AD5YBUMS0.pdf
RES SMD 52.3KOHM 0.25% 1/8W 0805 AT0805CRD0752K3L.pdf
RES 10 OHM 1W 5% AXIAL 21J10RE.pdf
SL10688 NS 8P SL10688.pdf
14501 RCL TSSOP 14501.pdf
MAX9703E MAXIM BGA-32D MAX9703E.pdf
208464096001000 AVX Call 208464096001000.pdf
MM3404A09NRE MITSUMI SOT-25 MM3404A09NRE.pdf
2SK2884(Q) TOSHIBA SMD or Through Hole 2SK2884(Q).pdf
SSTV16859CK ICS BBC SSTV16859CK.pdf
RKZ4A2KDP2Q RENESAS SMD or Through Hole RKZ4A2KDP2Q.pdf