창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD112T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD112,117 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
전력 - 최대 | 1.75W | |
주파수 - 트랜지션 | 25MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD112T4GOS MJD112T4GOS-ND MJD112T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD112T4G | |
관련 링크 | MJD11, MJD112T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC237352224 | 0.22µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC237352224.pdf | ||
RT0603CRE07267RL | RES SMD 267 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE07267RL.pdf | ||
RT0603BRE079K1L | RES SMD 9.1K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE079K1L.pdf | ||
HVCB2512FKD100K | RES SMD 100K OHM 1% 2W 2512 | HVCB2512FKD100K.pdf | ||
RNF14FTC24K9 | RES 24.9K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC24K9.pdf | ||
S-75V02ANC-5V3-TF | S-75V02ANC-5V3-TF SEIKO SMD or Through Hole | S-75V02ANC-5V3-TF.pdf | ||
C3623-L | C3623-L NEC TO-92S | C3623-L.pdf | ||
MHP27015S/883 | MHP27015S/883 INTERPOI DIP | MHP27015S/883.pdf | ||
ZMM2V4C | ZMM2V4C LRC LL34 | ZMM2V4C.pdf | ||
73M2901CE-IM/F | 73M2901CE-IM/F MAXIM NA | 73M2901CE-IM/F.pdf | ||
LTN150U2L02 SAMSUNG | LTN150U2L02 SAMSUNG SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN150U2L02 SAMSUNG.pdf | ||
AS24W-K/24vDC | AS24W-K/24vDC ORIGINAL RELAY | AS24W-K/24vDC.pdf |