홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD112T4

STMicroelectronics MJD112T4

MJD112T4
제조업체 부품 번호
MJD112T4
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD112T4 가격 및 조달

가능 수량

71050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 231.28934
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD112T4 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. MJD112T4 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD112T4가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD112T4 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD112T4 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD112T4
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD11x
기타 관련 문서MJD112 View All Specifications
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1541 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대20W
주파수 - 트랜지션25MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름497-2462-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD112T4
관련 링크MJD1, MJD112T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
MJD112T4 의 관련 제품
68pF Mica Capacitor 500V Radial 0.449" L x 0.181" W (11.40mm x 4.60mm) CD15ED680FO3F.pdf
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP IRFI740GLCPBF.pdf
RES SMD 370 OHM 0.1% 5/8W 0805 PHP00805E3700BST1.pdf
2SD2264 ROHM SMD or Through Hole 2SD2264.pdf
B76002D337M055 KEMET SMD B76002D337M055.pdf
5165805FTT6 AAA SOP-32 5165805FTT6.pdf
HC1210XR103K501 MERITEKELECTRONICS SMD or Through Hole HC1210XR103K501.pdf
SC31872-70/BXA MOT CDIP SC31872-70/BXA.pdf
4860XISAB10S N/A DIP-28P 4860XISAB10S.pdf
XC2V4000-4FFG1152I XILINX BGAQFP XC2V4000-4FFG1152I.pdf
LXRD53 ORIGINAL SMD or Through Hole LXRD53.pdf
TPS76316DBVRG4 TEL:82766440 TI SMD or Through Hole TPS76316DBVRG4 TEL:82766440.pdf